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最先端プロセス技術の動向
製品の高速化や低消費電力化を図るために、ルネサス エレクトロニクスではデバイス微細加工技術の研究開発を推進してまいりました。
2009年度には40nmノードの量産を開始しました。一方で28nmノードの開発を促進しています。40nmノードでは55nmノードに引き続きゲート絶縁膜としてルネサス エレクトロニクス独自のHigh-k絶縁膜を採用し、低消費電力化を実現しました。
次世代デバイスの28ｎｍノードでは、メタルゲートHigh-k絶縁膜技術を採用して開発を進めています。
多彩なオプション
ルネサス エレクトロニクスは、最先端の標準CMOSプロセスはもちろんのこと、幅広いアプリケーションに対応できるオプションプロセスをご提供しております。
混載DRAM(eDRAM)、不揮発メモリ、受動素子、バイポーラ・デバイスのオプションプロセスがございますが、 大容量DRAMを1つのシステムLSIに搭載するeDRAM技術においては、当社が業界を大きくリードしております。標準CMOSプロセスと同時にeDRAMプロセスの開発を進め、2009年には世界で初めて40nmのeDRAM技術開発を完了し、2010年は量産予定です。また、次世代の28nmノードについても、eDRAMの開発を行っております。
低消費電力技術
独自の低消費電力技術UltimateLowPowerにより、スタンバイ時、動作時の消費電力を劇的に低減しました。55nmノードで採用した極薄High-k絶縁膜を40nmでも採用し、低消費電力化と高速動作を同時に実現しています。このことにより、幅広いアプリケーションに対応できるプロセスをご提供することが可能となりました。