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低消費電力化技術「UltimateLowPower」
ルネサス エレクトロニクスは、独自の低消費電力化技術「UltimateLowPower」を確立し、携帯機器分野をはじめ幅広いアプリケーションにおいて、チップの消
費電力を劇的に低減することに成功しています。
同一面積に搭載できる論理ゲート数はプロセス世代が進むたびに2倍ずつ増大し、クロック周波数も30%～50%増加する傾向にあります。従って、チップの動作電力は増大の一途をたどっていますが、当社はUltimateLowPowerにより回路規模×動作周波数で消費電力が増大しても一定以下に抑えることができます。
さらに90nm以下の世代では、チップの消費電力は動作電力とともにリーク電力の増大が致命的な問題となります。 UltimateLowPowerは、動作電力を抑えると同時に、リーク電力も低減できる画期的な技術です。
ルネサス エレクトロニクスは2002年にクロックゲーティングの自動化設計を採用したのを初め、65nm製品ではボディバイアス最適化設計やモニター回路技術を導入し、55nmではHigh-k絶縁膜トランジスタの採用で劇的な低リーク電力を実現しました。 システム設計の段階でもC言語設計をいち早く導入するなど、電力と性能の最適化を可能にしています。 さらに40nmでは電源電圧最適化技術を導入しました。 これらの地道な省電力化技術を積重ね実績を積んだ上で統合したものが、低消費電力化技術「UltimateLowPower」技術です。
ルネサス エレクトロニクスは、今後もプロセス技術、回路・設計技術の進歩によってさらに低消費電力化技術「UltimateLowPower」技術を進化させ、低コスト且つ省電力を実現できる究極のエコデバイスの実現に貢献して参ります。 容易に他社が追随することを許しません。
低消費電力化の効果イメージ： １ゲートあたりの消費電力
低消費電力化の効果イメージ： チップトータル消費電力
