QDRII/DDRII/QDRII+/DDRII+ SRAM

概要：

インターネットなどの普及に伴い通信機器の伝送速度が高速化してきており、基幹幹線の通信速度は40Gビット/秒を超える勢いになってきています。QDR SRAMやDDR SRAMは、このような高速通信機器であるハイエンドルータやスイッチで、データの宛先や不正データのチェックを行うためなどに使われます。

DDR(Double Data Rate) SRAMはプロセッサやコントローラからのアドレス信号や制御信号を、システムクロックに同期してSRAM内部に取り込むと共に、データ信号をシステムクロックとその反転クロックの両方に同期して書き込むまたは読み出すDDR方式を採用しており、従来のシンクロナスSRAMに比べ2倍の転送レートを実現できます。

QDR(Quad Data Rate) SRAMでは、DDR方式を採用し、さらに入出力ピンをそれぞれ分離しているため、書き込み、読み出し動作を同時に行うことが可能です。これにより従来のシンクロナスSRAMと比べて4倍の転送レートが実現できます。

QDR/DDR SRAMシリーズには、3種類のデータ入出力(9、18、36ビット構成)と2種類のバースト長(2または4)に対応した製品があり、ユーザはシステムにより適した製品を選択できます。また、入出力インタフェースは、超高速シンクロナスSRAMでは標準的なHSTL(High Speed Transceiver Logic)インタフェースを採用しています。

パッケージは、高密度実装が可能で放熱性に優れたプラスチックFBGA165ピンパッケージであり、サイズは15mm×17mmと小型実装が可能です。またRoHS（Restriction of Hazardous Substances in electrical and electronic equipment）指令に対応しており、鉛フリー品もラインアップしています。さらに、QDR/DDR SRAMのピン配置は、288Mビット品まで考慮し、アドレス拡張ピンが決定されており、将来の容量アップが可能です。なお、FBGAパッケージ品はモジュール実装時の互換接続チェックをボードレベルで行えるよう、IEEE標準テストアクセスポートとバウンダリスキャンアーキテクチャ（IEEE Std 1149.1-1990）をサポートしています。

ラインアップ: