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技術情報マガジンRENESAS EDGE 製品別一覧：メモリ

Vol.21 発行: 2008.4

<先端開発・ISSCC>
NMOSとPMOSの基板バイアスを個別に制御し SoC向けオンチップSRAMの消費電力を40％低減

 

SoC向けSRAMの低消費電力化を実現する基板バイアス制御回路技術

<先端開発・ISSCC>
データ格納用EEPROMの代替となる「E²データフラッシュ」
マイコンへの内蔵を実現し100万回の書き換えが可能

 

車載ECU向けデータ格納用フラッシュメモリ
EEPROM内蔵化技術「E²データフラッシュ」

低消費電力SRAM R1LV3216Rシリーズ、 R1WV6416Rシリーズ

 

業界最大容量となる64Mビット品と小チップサイズの32Mビット品が登場

Vol.19 発行: 2007.10

EEPROM　R1EX24000Aシリーズ

 

0.35μmプロセスのI²Cバス対応品を追加
薄型・大容量EEPROMのニーズに応える

Vol.18 発行: 2007.7

超小型低消費電力SRAM「R1LV1616RBA」「R1LV0416DBA」

 

ルネサス独自の低消費電力SRAM（Advanced LowPower SRAM）を極小のウエハレベルCSPに収容し、従来品に比べ最高75%の面積低減を達成

Vol.17 発行: 2007.4

<先端開発・IEDM>
極薄の五酸化タンタル界面層を形成したセル構造により 電源電圧1.5Vでリセット電流を100μAに低減

 

五酸化タンタル界面層を用いた新しいメモリセル技術

<先端開発・ISSCC>
読み出し回路と書き込み回路の工夫で 45nm世代のメモリセルが高速かつ安定に動作

 

45nm世代のオンチップSRAM用動作安定化技術