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【ア】

インゴット

高純度の単結晶シリコンの塊。通常長さ2メートル直径8インチ強。シリコン融液に種となる小さな単結晶を接触させ、回転させながら徐々に引き上げてインゴットに成長させる。

ウェットエッチング

薬液を用いるエッチング法。多数のウェハーを同時に処理できる。

ウェハー

半導体材料を円盤状に加工したもので、ICをつくりこむ基板となる。

【カ】

銀ペースト樹脂

エポキシ樹脂に銀を加えたペースト状の接着材料。

金細線

チップからの電極とリードフレームをつなぐ金の細い線。直径30μm程度のものが使用される。

ゲート

電圧をかけることによって、ソース・ドレイン間を流れる電子の流量を制限するシリコン原子。

コンタクトホール

素子が形成された層と配線のための層を繋ぐため、絶縁膜に穿たれた開口部。

【サ】

酸化膜

シリコン(Si)が高温下で酸素(O2)または水(H2O)と反応してできる二酸化シリコン(SiO2)膜。良質な絶縁膜となる。

ステッパー

ウェハー上のフォトレジストをマスクで露光させる装置。光源・コンデンサレンズ・マスク・投影レンズ・ステージなどの部品から成る。ステージを動かすことでウェハー上のチップ間を移動する。

スパッタリング法

成膜法の一つで、ウェハーと対向しておかれた金属にイオンをぶつけ、飛び出してくる金属原子をウェハーに付着させる方法。

層間絶縁膜

層の異なる上下の配線を電気的に絶縁する膜。

ソース、ドレイン

電子の供給源となる領域と排出先になる領域。

素子

電気的にさまざまな働きをする部品で、半導体素子とも呼ばれる。電気信号を増幅するトランジスタ、電流を制限する抵抗、電荷を蓄えるコンデンサなどの種類がある。

【タ】

窒化膜

シリコンと窒素の化合物(Si3N4)。耐酸化性、不純物に対するバリア性などが高い。

直流特性

電気的特性のうち、入出力の電圧・電流レベルに関する特性。

テスター

テストを実行する測定機。設定されたテストパターンに従い、ICの電気的特性などを測定する。

ドライエッチング

プラズマ化したエッチングガスを用いるエッチング法。微細な加工に用いられる。

トランジスタ

半導体素子の代表的なものの一つで、電気信号を増幅する働きをする。

【ハ】

灰化処理

フォトレジストを酸素プラズマなどで灰状にして取り除く手法。

パッケージ

ICを収納するケース。

フォトリソグラフィー

印刷の手法(リトグラフ)と同じように、光を照射し回路パターンを基板表面に転写する技術。

プローバー

ウェハー上の各ICの電気特性をテストする装置。

ポジ方式

露光したフォトレジストを除去する現像の方式。この逆のネガ方式では露光したフォトレジストが現像時に残る。

ポリシリコン

シリコンの単結晶粒が多数集合した化合物。

【ラ】

リード

ICチップと接続されるリードフレームの電極。

レジストパターン

エッチング工程の際にマスクとして使用するフォトレジストのパターン。

【A - Z】

CAD

Computer Aided Design(コンピュータ支援設計)の略称。一般的にはその意の通り、コンピュータを使った設計を意味する。電気系CAD、機械系CADという言い方をする。

LSI分野では大きく分けて、システム設計、論理設計、パターン設計及びタイミング設計等、回路設計に関係するフォアグランド的なものと、ウェハー上のレイアウト、出荷テスト等に関係するバックグランド的なものがある。

N型拡散層

拡散層の一つで、リンなどの不純物を添加しN型の導電型をもったもの。

P型拡散層

拡散層の一つで、ホウ素などの不純物を添加しP型の導電型をもったもの。

UVテープ

UV(紫外線)を照射することで粘着力を失い、剥がれやすくなるテープ。

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