ニュースリリース

（1） 高出力品では業界最小サイズを実現

本製品は、低損失・小型化を実現した当社最新トレンチゲートパワーMOSFET採用等により、最大電流50Aの高出力車載DCモータ駆動用HブリッジドライバICでは業界最小となる15.9mm×14.2mmを実現しました。

また、従来のパワーMOSFET4素子とドライバICの合計5チップを実装した場合と比較し、30％以上実装面積（注2）を低減でき、制御ユニットの小型化が図れます。

（2）  低損失、低消費電力を実現

当社最新トレンチゲートパワーMOSFET採用により、ハイサイド用MOSFET（注3）は16ｍΩ(max.)、ローサイド用MOSFET（注3）は11mΩ(max.)の低オン抵抗（注4）を実現しており、導通損失低減が図れます。加えて、スイッチング時の貫通電流防止、および出力OFF時の回生駆動によりPWM(Pulse Width Modulation：パルス幅変調)駆動時の損失についても大幅に低減しており、車載DCモータ制御ユニットの低損失化が図れます。

また、待機時の消費電流は、ドライバIC回路の設計最適化により30μA(max.)と低く、システムの低消費電力化に貢献します。

このように小型、低損失、低消費電力を実現した高出力品のため、特に車載用パワーウインドウや電動ドア、電動シート等の中容量モータの制御に効果的です。

（3）  各種内部保護機能を内蔵し、システム保護を実現

本製品は、保護機能としてLVI(Low Voltage Inhibit)（注5）、過電圧や、天絡、地絡、過熱保護回路等の各種保護機能を内蔵しており、異常検出時にはダイアグノシス（自己診断機能）情報が出力されます。この信号をシステム側のマイコン等で受信し、システムを停止するなどユーザの用途に応じた対応が可能です。

（4）  低ノイズ、高ESD耐性を実現

本製品は内部回路にて出力スルーレートコントロールを実施し、低スイッチングノイズ性能を実現しています。また、ハイサイド用MOSFETにPチャネルタイプを採用することで出力段素子のゲート電圧昇圧回路を不要とし、駆動回路に起因するノイズを削減しました。また、車載用として重要な高ESD（Electrostatic discharge：静電気放電）耐量を実現しています。（AEC-Q100（注6） Component Class CDM:C5、MM:M3準拠）

＜製品化の背景＞

＜製品の補足＞

■ 注記

（注 1）

Hブリッジ：
パワーMOSFET等のパワー素子を4つ使い、モータ端子の双方向に電流を流す回路方式。
（モータへの電流をON/OFFする4つのパワー素子のON/OFFの組み合わせにより、モータを止める、時計回りに回す等の制御を行う）

（注 2）

実装面積：
同等性能パワーMOSFET（DPAK[当社外形コード] 4個）、同等機能制御IC（SOP-20 1個）で構成時のパッケージ投影面積での低減率。（実装基板ランドパターン等は含まず）

（注 3）

ハイサイド用、ローサイド用MOSFET：
電極とモータ（負荷）の間に置いて、モータに流れる電流を制御する（ON/OFFのスイッチを行う）パワーMOSFETをハイサイド用と言い、モータ（負荷）とグランドの間に置いて、モータに流れる電流を制御するパワーMOSFETをローサイド用と言う。Hブリッジは、ハイサイド用2素子とローサイド用2素子で構成する。

（注 4）

オン抵抗：
パワーMOSFETが動作するときの動作抵抗。パワーMOSFETの性能を左右する最も重要なパラメータで、値が小さいほうが高性能。

（注 5）

LVI（Low Voltage Inhibit）：
電源電圧低下を検出し電圧が低下した場合、誤動作等を防止するためIC出力を停止する

（注 6）

AEC-Q100：
Automotive Electronics Councilの電子部品品質規格。

（注 7）

SOI(Silicon on Insulator):：
能動素子を形成するSiをSiO2などの絶縁膜で分離することで寄生素子動作を防止する構造。

■ 応用機器

• 自動車・産業用途：各種DCモータ制御システム

■ 価格

■ 仕様

■ お客様からの問い合わせ先