Skip to main content

POL (Point Of Load)

概要

POL (Point Of Load)は、降圧DC-DCコンバータで、電力を消費するLSIの近くに配置されます。POLは多くの電源システムに利用されております。POLの利点は、最終段の電源(POL)を負荷の間近に配置することにより、従来の電源システムで存在した電源から負荷への長い配線パターンがなくなり、低電圧・大電流化の要求に対して、精度の良い電圧提供できることです。また、電源インピーダンスが下がるため、各電圧間の干渉を防ぎ、不要輻射を低減させることもできます。

大型サーバの電源の場合は大きく分けて、外部ACをDCに変えるブロック、その力率改善をするブロック、そしてPOLブロックの3つで構成されます。POLは、各カード(基板)に分配されるDC(12V または24V 、48V )から、各回路ブロックで必要とされる電圧に変換します。

ルネサスでは、PWM (Pulse Width Modulation)コントローラとスイッチングデバイスをSiPやディスクリートで実現する複数のソリューションをラインアップし、お客様の様々なアプリケーションに柔軟にお応えすることが可能です。

システムブロック図

推奨ルネサスデバイス

ブロック 半導体 推奨品名 特長他
SiPソリューション Sip R2J20702NP 大電流:40A 出力DCDCコンバータに対応
2フェーズ制御,カレントシェア,同期制御,
トラッキングスターが簡単に実現可能
高効率:92.5% @Vin=12V, Vout=1.8V, Fsw=500kHz
高速負荷応答:ピークカレントモードの採用により
40mV以下の出力電圧変動
その他:過電流保護機能(Hiccup)
R2J20751NP 大電流出力対応(25A)
ワイド入力対応 : 3.3V to 27V
0.6V, 2% 高精度基準電源電圧内蔵
広い周波数設定レンジ : 200kHz to 1MHz
Active current sensing回路によるピーク電流制御
マルチフェーズ動作が可能
オートフェーズコントロールコンパレータ内蔵
ブートストラップ用Bootスイッチ内蔵
過電流時のHiccup回路を内蔵
PWMコントローラ
+SiP ソリューション
Driver-MOSFET R2J20605ANP 高速・高効率動作、小型パッケージ搭載
R2J20653ANP
R2J20654NP
ディスクリート
ソリューション
PWMコントローラ HA16167AT Vin=4.5 to 14.5V, f=1MHz,External MOSFET
パワーMOSFET RJK0389DPA High side 30V/15A,Low side 30V/20A SBD

■お探しの情報が見当たらない場合は下記リンクよりお問合せください。

お問合せ

印刷される方は
こちらをご覧ください

ルネサスは電源システム展に出展します。

ルネサス半導体セミナー

パワーMOSFET シミュレーションサイト Renesas VP

Webからご購入になれます!

今月のおすすめアプリ 「LED照明」をご紹介します!

技術情報WEBマガジンRenesasEDGE


End of content

Back To Top