Skip to main content

ネットワークメモリ

概要

大容量データを高速処理することを要求されるネットワーク機器(Router/Switch等)において、ルネサスのメモリ群は、パケット中継・転送処理に最適なソリューションを提供致します。

ルネサスが提供するメモリ群をお使い頂く事により、システムを容易に構築して頂けます。

ラインアップ:

QDR-SRAM

QDR(Quad Data Rate)SRAM は、高機能のネットワークシステム用に開発された製品群です。 QDRファミリーは、QDRコンソーシアムによって規格化された製品です。

Network SRAM

Network SRAMは、ZBT™と互換であり、JEDEC標準パッケージを採用しております。現在×36ビットワイドバス品を100ピンTQFPにてサポート中。

TCAM

TCAMは、ネットワーク機器への応用向けに、メモリセルに「0」、「1」に加え「ドントケア」の3つの状態をデータとして格納した検索用メモリです。業界トップレベルの高速検索を実現した20Mビット容量のStandard TCAM「R8A20410BG」を製品化いたしました。

システムブロック図

推奨ルネサスデバイス

QDR™-II / DDR-II SRAM ラインアップ

容量(ビット)
36M / 72M
タイプ
QDR™-II
DDR-II
機 能
2Word Burst
4Word Burst
2Word Burst(SIO/CIO)
4Word Burst(CIO)
電源電圧 VDD
1.7V~1.9V
VDDQ
1.4V~VDD
インタフェース
HSTL
ビット構成
x9 / x18 / x36
レイテンシ
1.5
動作周波数[MHz]
167 / 200 / 250
200 / 250 / 300 / 333
転送速度[Mbps]
333 / 400 / 500
400 / 500 / 600 / 666
サイクル時間[ns]
6.0 / 5.0 / 4.0
5.0 / 4.0 / 3.3 / 3.0
JTAG
Limited function of IEEE 1149.1
パッケージ
165ball MAP-BGA(15×17mm)

QDR™-II+ / DDR-II+ SRAM ラインアップ

容量(ビット)
72M
タイプ
QDR™-II+
DDR-III+
機 能
2Word Burst
2Word Burst(SIO/CIO)
4Word Burst(CIO)
電源電圧 VDD
1.7V~1.9V
VDDQ
1.4V~VDD
インタフェース
HSTL
ビット構成
x9 / x18 / x36
レイテンシ
2.0または2.5
動作周波数[MHz]
300 / 333 / 375 / 400 / 450 / 500 / 533
転送速度[Mbps]
600 / 666 / 750 / 800 / 900 / 1000 / 1066
サイクル時間[ns]
3.3 / 3.0 / 2.7 / 2.5 / 2.2 / 2.0 / 1.9
JTAG
Limited function of IEEE 1149.1
パッケージ
165ball MAP-BGA(15mm×17mm)
On Dietermination
本デバイスは入力ターミネーション抵抗を内蔵しています。ZQピンに接続
されるRQにより入力ターミネーション抵抗値をお客様で調整できます。
(ODTピンで選択) 105Ω<Rtt <150Ωまたは52Ω<Rtt <105Ω

Network SRAM ラインアップ

容量(ビット)
18M
型 名
M5M5V5A36GP
M5M5V5636GP
ビット構成
512K×36
パッケージ
100ピンTQFP(16mm×22mm)
100ピンTQFP(16mm×22mm)
電源電圧
3.3V
3.3V / 2.5V
動作周波数[MHz]
100MHz(クロックアクセス時間 8.5ns)
167MHz
機 能
Late Write and Flow-Through Read
Double Late Write and Pipeline Read

■お探しの情報が見当たらない場合は下記リンクよりお問合せください。

お問合せ

印刷される方は
こちらをご覧ください

ルネサス半導体セミナー

パワーMOSFET シミュレーションサイト Renesas VP

Webからご購入になれます!

今月のおすすめアプリ 「LED照明」をご紹介します!

技術情報WEBマガジンRenesasEDGE


End of content

Back To Top