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ハードディスク
概要
パーソナルコンピュータの記憶装置としてその容量を飛躍的に大きく進化してきたハードディスクは、最近ではDVDレコーダにも搭載されるなど応用分野が広がっています。
当社ではハードディスク電源部に適したMOSFET製品をラインアップして、低消費電力化に貢献します。
具体的にはハードディスクに入力される5Vの電源電圧から、内部の専用LSIなどに必要な1.2V～3.3V、あるいはマイナス電圧を形成するDC/DC コンバータ回路に適したMOSFET+SBDを1パッケージにした製品群や、シリーズレギュレータ回路用のMOSFET製品を提供いたします。
また、ハードディスクの外部インタフェース部分の静電気保護素子としてNSADシリーズとNNCDシリーズを提供、特にNSADシリーズは高速インタフェースに適した端子間容量が小さいタイプで、高速データ転送に影響のない静電気保護を実現します。
システムブロック図
推奨ルネサスデバイス
| ブロック | 半導体 | 推奨品名 | 特長他 |
|---|---|---|---|
| DC/DCコンバータ | 複合素子 | µPA507 | |
| µPA508 | |||
| µPA1980 | |||
| シリーズレギュレータ | 複合素子 | µPA620TT | Nch、パッケージ：6pWSOF |
| µPA621TT | Nch、パッケージ：6pWSOF | ||
| µPA650TT | Pch、パッケージ：6pWSOF | ||
| µPA651TT | Pch、パッケージ：6pWSOF | ||
| µPA652TT | Pch、パッケージ：6pWSOF | ||
| µPA2610T1C | Pch、パッケージ：8LD3x2MLPM | ||
| ノイズクリッピングデバイス | ダイオード | NNCD5.6LG | Low Capacitance, VBR: 5.6V |
| NNCD5.6LH | Low Capacitance, VBR: 5.6V | ||
| NNCD5.6MG | Low Capacitance High ESD, VBR: 5.6V | ||
| NNCD6.2LG | Low Capacitance, VBR: 6.2V | ||
| NNCD6.2LH | Low Capacitance, VBR: 6.2V | ||
| NNCD6.2MF | Low Capacitance High ESD, VBR: 6.2V | ||
| NNCD6.2MG | Low Capacitance High ESD, VBR: 6.2V | ||
| NNCD6.8MG | Low Capacitance High ESD, VBR: 6.8V | ||
| NNCD6.8RG | Low Capacitance, VBR: 6.8V | ||
| NNCD6.8RH | Low Capacitance, VBR: 6.8V | ||
| NNCD6.8RL | Low Capacitance, VBR: 6.8V | ||
| サージアブソーバデバイス | ダイオード | NSAD500F | 2 diodes |
| NSAD500H | 4 diodes | ||
| NSAD500S | 2 diodes |
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