車載用パワーデバイスソリューション

ボディ向け新製品ラインアップ

省エネルギー・省スペースの車載パワーデバイス

4つの技術でGreen Carへ貢献

• 超低オン抵抗技術で高効率な低圧パワーMOSFET
• 最高水準の低Vce(sat)・高速スイッチング技術で低損失な高耐圧・大電流IGBT
• 保護機能を内蔵しインテリジェントなサーマルFET、IPD
• マルチチップ搭載など複合・低抵抗で高放熱、高性能化に寄与するパッケージ技術

ルネサスは、4つの技術開発を通じて、低燃費〈高効率、低損失〉でより小型、軽量な車載パワーデバイスを提供し、地球環境にやさしい”Green Car”の実現に貢献いたします。

車載MOSFET
インテリジェントパワーデバイス
アナログASIC
アナログASIC開発事例(自動車電装)

高性能・高品質のソリューション

超低オン抵抗 低圧パワーMOSFET

ルネサスは、世界No1 の低圧MOSFETサプライヤで、魅力ある製品を幅広くラインアップしています。特に、車載高温環境で大電流駆動できる低オン抵抗製品は、より高性能化を目指し、最新のトレンチ構造を最適化したプロセスを適用した製品開発を進めています。
最新のANL2プロセスを適用した製品では、UMOS4プロセス適用製品比で約25%の消費電力を低減できます。

車載MOSFET

プロセスの最適化で低損失化 高耐圧・大電流IGBT

IGBTは、ハイブリッド自動車や電気自動車のモータ駆動などに応用されるデバイスです。より快適な走行性能や、より長距離な走行を実現するために、最適化された高性能プロセスを活用し、業界最高水準な低Vce(sat)特性や高速スイッチング特性などを実現しています。
また、高品質ベアダイや、回生用に使用される高性能FWD*、絶縁用フォトカプラの対応も可能です。

* FWD: Free Wheeling Diode

インテリジェントな サーマルFET/IPD

過熱保護機能を有し、パワーMOSFETからの置換えが容易なサーマルFETや、負荷ショート信頼性を評価した高耐量、高信頼性なボディ用IPDなど、システム 信頼性向上のご要求に応え、今後も製品ラインアップを展開いたします。また、LEDヘッドライトコントローラ、Li-ionバッテリモニタ、3相モータプリドライバ なども開発中で、今後もより幅広くソリューションを提供いたします。

インテリジェントパワーデバイス

複合・低オン抵抗化、高放熱化に寄与する パッケージ技術

パワーMOSチップの低オン抵抗化に応じ、搭載するパッケージも並行して太AI配線化、多本化など低オン抵抗化に向けて開発しています。また、高電流用途の IPDやモータドライバICなどには、最適プロセスを採用したチップを複数搭載するマルチ・チップパッケージ技術を開発、展開しています。併せて高放熱化や 多機能品への多ピンパワーパッケージも開発しています。